بنيت الSSD ايضاً من الNAND Gate لكن على عكس طريقة بناء الRAM التي لاتحفظ البيانات و بخلاف طريقة الHard Drive التي يمغنط المعدن للاحتفاظ بالمعلومة.
هنا استفادوا من خاصية كمومية تقوم بعزل او احتجاز او سجن الإلكترون مدة قد تصل إلى 10 سنوات حيث يتلاشى الحاجز مع الوقت.
هنا استفادوا من خاصية كمومية تقوم بعزل او احتجاز او سجن الإلكترون مدة قد تصل إلى 10 سنوات حيث يتلاشى الحاجز مع الوقت.
بناؤه تم بإضافة جزء عازل على الMOSFET المعروف الذي اخترعه المهندس محمد عطالله و داون كانغ من الستينيات و يسمى هذا الحاجز بالFloating gate و هذه الطريقة هي نفسها التي بُنيت بها الEPROMs لكن تغيرت الهندسة فقط كما سيأتي وهنا يسمى FGMOS بدل MOSFET.
youtube.com
youtube.com
هناك معلومة بسيطة وهي ان اقوى التحديات التي تواجه صناع المعالجات هي تصغير الTransistors و تقريب المسافة بينها في المعالج. انتل مثلاً وصلت الى 7 نانومتر و البعض وصل الى 5nm لكن في ال Memory لا يمكن ان تصل إلى اقل من 15nm وإلا حصل تسريب للالكترونات لنفق كمّي و تفسد البيانات.
جاري تحميل الاقتراحات...